, der angekündigte SiC-Tsunami rollt an. Das wird offensichtlich, wenn man betrachtet, wie viele Anbieter von SiC-Substraten in den letzten Tagen und Wochen neue Fertigungsstätten eröffnet oder angekündigt haben – unter anderem Wolfspeed, onsemi, Showa Denko und SK Siltron CSS. In der Online-Themenwoche »Leistungselektronik«, die heute startet, steht Siliziumkarbid im besonderen Fokus. In einer dreiteiligen Artikelserie macht Prof. Peter Gammon von der University of Warwick eine Bestandsaufnahme bei der SiC-Technologie. Dabei geht es darum, wie wie weit sich die Kosten für das teure Substrat senken lassen, welche technologischen Weiterentwicklungen zu erwarten sind und welche Möglichkeiten es gibt, den Durchlasswiderstand zu verringern. Und als krönenden Abschluss wird er gemeinsam mit Dr. Stephen Russell von TechInsights noch einen Deep-Dive in die vierte SiC-MOSFET-Generation von Rohm machen. Wenn Sie mehr über den Einsatz von Siliziumkarbid und Galliumnitrid in der Leistungselektronik lernen möchten, dann empfehle ich Ihnen unser Anwenderforum Leistungshalbleiter. Am 9. und 10. November 2022 in München referieren die wesentlichen Global Player genauso wie Newcomer aus China. Als Keynote-Speker konnten wir Karl-Heinz Gaubatz, CTO von Semikron Danfoss, Philip Lolies, Vice President STMicroelectronics France, und Tobias Keller, Vice President and Head of Global Product Management Semiconductors bei Hitachi Energy, gewinnen. Sehen wir uns dort?
Viel Freude beim Stöbern in diesem Newsletter wünscht Ihnen, Ihr Ralf Higgelke Redakteur | 