| » Zur Webversion channele Newsletter vom 04.08.2023, ISSN 1615-1224 <ANZEIGE> | | Industrial Memory Cards:
Die smarte Speicherlösung für Industrieanwendungen Von der intelligenten Fabrik bis zur intelligenten Logistiklösung – In kleinen Formfaktoren performen Industrial Memory Cards als fleißige Helfer.
Diese kleinen stromsparenden Wechselspeicher eignen sich hervorragend für Überwachung, Robotik, POS-Transaktionen und Handheld-Computing oder zur Erweiterung der Speicherkapazität..
IP57- und IP67-zertifiziert und bis zu 66 % mehr Lebensdauer.
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Inhalt | Anzeige: WE-MAPI von Würth Elektronik | | Multipixel-LED für adaptive Fahrzeug-Scheinwerfer | | Optische Spektrumanalysatoren für die Wellenlängenbereiche 350 bis 1200nm und 350 bis 1750nm | | Farbvideokamera mit SPAD-Sensor | | Leistungs-MOSFETs im 4-mm²-Gehäuse | | Infineon baut 200-Millimeter-Fab für SiC-Leistungshalbleiter |
| Anzeige: WE-MAPI von Würth Elektronik | | ... ist eine der kleinsten gewickelten Metal-Alloy-Speicherdrosseln der Welt. Sie überzeugt durch hohen Sättigungsstrom, hohe Permeabilität und geringen Widerstand. mehr... | | Multipixel-LED für adaptive Fahrzeug-Scheinwerfer | | ams Osram bringt das LED-Element Eviyos 2.0 für den Einsatzbereich in der Fahrzeugfrontbeleuchtung. Diese Multipixel-LED erlaubt laut Anbieter einen vollständig adaptiven, dynamischen Scheinwerferbetrieb und eine Bildprojektion. mehr... | | Optische Spektrumanalysatoren für die Wellenlängenbereiche 350 bis 1200nm und 350 bis 1750nm | | Yokogawa stellt die optischen Spektrumanalysatoren AQ6373E für den sichtbaren Wellenlängenbereich und AQ6374E mit größerem Messbereich vor. mehr... | | Farbvideokamera mit SPAD-Sensor | | Canon gibt die Verfügbarkeit der Kamera MS-500 für Ende August 2023 bekannt. Es handelt sich laut Canon um die weltweit erste Ultra-High-Sensitivity Kamera mit Wechselobjektiven (ILC), die mit einem 1-Zoll SPAD-Sensor (Single Photon Avalanche Diode) mit der weltweit höchsten Pixelzahl von 3,2 Megapixeln ausgestattet ist. mehr... | | Leistungs-MOSFETs im 4-mm²-Gehäuse | | Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS 6 40V und OptiMOS 5 25V und 30V von Infineon haben einen thermischen Widerstand R thJC von maximal 3,2 K/W in einem 2x2 mm² PQFN-Gehäuse. mehr... | | Infineon baut 200-Millimeter-Fab für SiC-Leistungshalbleiter | | Infineon errichtet in Kulim, Malaysia eine 200-Millimeter-Fab, in der SiC-Power-Bausteine gefertigt werden sollen. mehr... |
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