, die letzten beiden Tage war ich auf dem Wide Bandgap Forum der ECPE. Und ich will an dieser Stelle ein paar Highlights daraus mit Ihnen teilen. Bei Siliziumkarbid (SiC) ist im Moment eines der großen Themen die Migration von 150- auf 200-mm-Wafer. Eric Guiot von Soitec beschrieb die proprietäre SmartCut-Technologie als den schnellsten Weg dafür, weil dadurch die extrem begrenzte Verfügbarkeit der 200-mm-Wafer auf einen Schlag verzehnfacht werden könnte. Während es bei SiC vor allem um Verfügbarkeit von Substraten geht, werden bei Galliumnitrid (GaN) noch viele technologische Neuerungen diskutiert. Kennith Leong von Infineon zeigte erste Untersuchungen zu einem bidirektionalen GaN-Transistor für 2 x 650 V, der sich durch die laterale HEMT-Struktur monolithisch integrieren lässt. Eine Markteinführung ist für das Jahr 2025 angepeilt. Dass Vertical GaN so langsam in Reichweite kommt, zeigten gleich zwei Vorträge. Dinesh Ramanathan von NexGen Power Systems verkündete, dass Engineering Samples mit 1200 V für Umrichter-Entwickler zu haben seien. Während NexGen auf sehr teuren GaN-Substraten fertigt, will Robert Bosch vertikale GaN-Transistoren auf kostengünstigen Fremdsubstraten zur Serienreife bringen. Jens Baringhaus stellte dazu das Projekt YESvGaN vor. Zum Schluss noch etwas Persönliches: Vor fast genau 23 Jahren habe ich bei der DESING&ELEKTRONIIK meine journalistische Laufbahn begonnen. Nun steht eine Veränderung an. Ab nächster Woche starte ich woanders in ein neues berufliches Abenteuer. Vielen Dank, für all die Jahre. Ralf Higgelke, Redakteur | 