, Vielleicht erinnern Sie sich noch? Als die Leistungshalbleiterindustrie von den SiC-Dioden zur nächsten Bausteinklasse übergehen wollte, entbrannte ein Wettstreit darüber, wie der nächste Schritt aussehen würde – SiC-JFETs oder SiC-MOSFETs? Technisch sprach zum damaligen Zeitpunkt einiges für die JFETs, allein, letztlich setzten sich die Vertreter der SiC-MOSFETs durch. Warum? Der Umfang mit MOSFETs war den Entwicklern bekannt, die Beschaltung von JFETs etwas komplizierter – so setzte sich letztlich die SiC-MOSFET-Fraktion durch. Nun tauchen die SiC-JFETs wieder auf, vielleicht können sie ja dieses Mal ihre technische Performance besser in Marktwert umsetzen? Lateral GaN oder Vertical GaN? Bislang war diese Frage eher theoretischer Natur. Die technischen Vorteile speziell bei höheren Spannungen liegen zwar auf der Hand, aber macht es wirklich Sinn, GaN-Schalter für 1200 V und mehr anzubieten, wenn es etablierte SiC-Schalter dafür gibt? Es gibt Experten, die halten Vertical GaN deshalb für eine Totgeburt. Der neue Hot-Stuff heißt Bidirektionales GaN! Der Vorteil dieser Lösung: Sie sperrt Spannung und leitet Strom in zwei Richtungen, was sowohl Chipfläche spart, als auch Leitverluste reduziert, da es nur eine geteilte Verarmungszone gibt. Auf der PCIM werden dabei sowohl in der Konferenz als auch auf der Messe interessante Produkte vorgestellt. Ihr Engelbert Hopf Chefreporter | 
